株式会社电装河野高博获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110730905B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880038599.4，技术领域涉及：G01L9/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由河野高博;与仓久则;藤原刚设计研发完成，并于2018-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置具备第1基板11、第2基板12、氧化膜13和保护膜14。第1基板具有第1面11c。第2基板具有一部分通过大气压等离子体活性而与第1面的一部分相接合的第2面12b。氧化膜形成于第1面。保护膜层叠在氧化膜的与第1基板相反侧的表面上。半导体装置的制造方法具备如下工序：在形成了保护膜后，在大气中对第1面实施等离子体活性处理。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 具备： 第1基板11，具有第1面11c； 第2基板12，具有一部分通过大气压等离子体活性而与上述第1面的一部分相接合的第2面12b； 氧化膜13，形成于上述第1面；以及 保护膜14，层叠在上述氧化膜的与上述第1基板相反侧的表面上； 上述氧化膜和上述保护膜的总膜厚是成为超过上述第1基板的带电量的绝缘耐压的膜厚。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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