首尔伟傲世有限公司朴柱勇获国家专利权
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龙图腾网获悉首尔伟傲世有限公司申请的专利紫外线发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210615085.9，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权紫外线发光二极管是由朴柱勇;张成逵;李圭浩;李俊熙设计研发完成，并于2017-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本紫外线发光二极管在说明书摘要公布了：本发明提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于基板上；台面，布置于n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于n型半导体层；p欧姆接触层，接触于p型半导体层；n凸块，电连接于n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于p欧姆接触层，其中，台面包括多个分支，n欧姆接触层包围台面并夹设于分支之间的区域，n欧姆接触层与台面之间的隔开距离恒定，暴露于分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于分支的最小宽度，n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面，p凸块覆盖分支中的至少两个分支。
本发明授权紫外线发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种紫外线发光二极管，所述紫外线发光二极管发出波长为300nm以下的深紫外线，包括： 基板； n型半导体层，位于所述基板上； 台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层； n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层； p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层； n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及 p凸块，电连接于所述p欧姆接触层， 其中，所述台面包括主分支以及从所述主分支延伸的多个子分支， 所述主分支具有比所述多个子分支宽的宽度， 所述n凸块以及p凸块分别覆盖所述台面的上部以及侧表面，以从所述台面的侧表面反射紫外线， 在所述n欧姆接触层与所述台面的隔开的间隔布置有所述n凸块及p凸块，从而从所述台面的侧表面反射向所述n欧姆接触层行进的紫外线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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