三星电子株式会社金光洙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107527915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710480197.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器件是由金光洙;姜信焕;张在薰;金森宏治设计研发完成，并于2017-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件在说明书摘要公布了：一种存储器件包括：多个栅电极层，堆叠在基板上；多个沟道层，穿过所述多个栅电极层；栅绝缘层，在所述多个栅电极层和所述多个沟道层之间；以及公共源极线，在基板上邻近于栅电极层。公共源极线包括在第一方向上交替地布置并在垂直于基板的顶表面的方向上具有不同高度的第一部分和第二部分。栅绝缘层包括多个垂直部分和水平部分。多个垂直部分围绕多个沟道层中的相应沟道层。水平部分平行于基板的顶表面延伸。
本发明授权存储器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括： 基板； 多个栅电极层，堆叠在所述基板上； 多个沟道层，穿过所述多个栅电极层； 水平沟道层，平行于所述基板的顶表面延伸，在所述多个栅电极层下面，并且将所述多个沟道层中的至少一些彼此连接； 栅绝缘层，在所述多个栅电极层和所述多个沟道层之间，所述栅绝缘层包括水平部分和多个垂直部分，所述多个垂直部分围绕所述多个沟道层中的相应的沟道层，所述水平部分在所述多个栅电极层下面并平行于基板的顶表面延伸；以及 公共源极线，在基板上邻近于所述多个栅电极层，所述公共源极线包括在第一方向上交替地布置并在垂直于所述基板的顶表面的方向上具有不同的高度的第一部分和第二部分， 其中所述水平沟道层的至少一部分的顶表面与所述水平部分接触，且所述水平沟道层的所述至少一部分的底表面与所述基板接触， 其中所述水平沟道层包括分别对应于所述多个沟道层中的所述至少一些且向下突出到所述基板内的多个部分，以及 其中所述基板包括多个支撑区域，所述多个支撑区域在所述公共源极线下面朝向所述公共源极线突出且在所述第一方向上彼此分离，以防止栅结构的倒塌，且在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述多个支撑区域的宽度大于所述公共源极线的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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