德克萨斯仪器股份有限公司N·江获国家专利权
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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利钼层中的倾斜终端及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107949904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201680029951.9，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权钼层中的倾斜终端及其制备方法是由N·江;E·C·斯图尔特;N·S·德拉斯设计研发完成，并于2016-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本钼层中的倾斜终端及其制备方法在说明书摘要公布了：一种制备钼层的倾斜终端的方法800，包括提供钼层802，并对钼层804施加光刻胶材料。光刻胶材料在散焦的条件下曝光生成掩膜806，曝光的光刻胶材料的边缘对应于倾斜终端。用蚀刻材料蚀刻钼层，其中蚀刻材料至少部分蚀刻在散焦条件下被曝光的光刻胶材料，且其中，蚀刻产生倾斜终端808。
本发明授权钼层中的倾斜终端及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备钼层的倾斜终端的方法，此方法包括： 提供所述钼层； 对所述钼层施加光刻胶材料； 在散焦条件下曝光所述光刻胶材料以生成光刻胶掩膜，曝光的光刻胶材料的边缘对应于所述倾斜终端；以及 用蚀刻材料蚀刻所述钼层，其中所述蚀刻材料至少部分蚀刻在所述散焦条件下被曝光的所述光刻胶材料，所述蚀刻产生所述倾斜终端； 其中所述蚀刻包括将所述钼层和所述光刻胶材料暴露于包括氯气与氧气的气体，并且氧气对氯气的比率在3:1和5:1之间； 其中所述蚀刻包括施加275瓦特和400瓦特之间的低变换耦合等离子； 其中所述蚀刻包括施加-125峰值伏特和-175峰值伏特之间的偏压RF； 其中所述散焦条件在+-11μm和+-22μm之间； 其中所述蚀刻材料具有大于100：1的钼相对氮化铝的选择性；并且 其中所述蚀刻材料具有大于100：1的钼相对氧化物的选择性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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