买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利显示设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116343705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310341421.X，技术领域涉及：G09G3/36；该发明授权显示设备是由山崎舜平;小山润;三宅博之;津吹将志;野田耕生设计研发完成，并于2010-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

本发明授权显示设备在权利要求书中公布了：1.一种显示设备，包括： 包括晶体管的像素部分；以及 电连接到所述像素部分的栅极线驱动电路， 其中，所述像素部分的所述晶体管包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区， 其中，所述像素部分被配置为以第一模式和第二模式显示，在所述第一模式的期间向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲，所述第二模式包括停止向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲的周期， 其中，所述像素部分的所述晶体管还包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、第四导电层和第五导电层， 其中，所述氧化物半导体层包括位于所述第一导电层上的区域， 其中，所述第二导电层包括位于所述氧化物半导体层上的区域， 其中，所述第三导电层包括位于所述氧化物半导体层上的区域， 其中，所述第四导电层包括隔着绝缘层位于所述氧化物半导体层上的区域， 其中，所述第五导电层包括位于所述绝缘层上的区域， 其中，所述第二导电层包括与所述氧化物半导体层接触的区域， 其中，所述第三导电层包括与所述氧化物半导体层接触的区域， 其中，所述第三导电层包括与所述第一导电层接触的区域， 其中，所述第三导电层包括与所述第五导电层接触的区域， 其中，所述第四导电层被配置为用作所述像素部分的所述晶体管的栅电极， 其中，在截面图中，所述氧化物半导体层包括位于所述第一导电层与所述第三导电层之间的区域， 其中，在平面图中，所述氧化物半导体层与所述第一导电层的边缘重叠，且 其中，在所述平面图中，与所述第四导电层重叠的所述沟道形成区被所述第一导电层的所述边缘包围。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。