买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉巨玻固能(苏州)薄膜材料有限公司申请的专利一种真空蒸发镀膜方法、蒸发源材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120423875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510885985.9，技术领域涉及：C04B35/495；该发明授权一种真空蒸发镀膜方法、蒸发源材料及其制备方法是由徐川;王乃成;王胜利设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种真空蒸发镀膜方法、蒸发源材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种真空蒸发镀膜方法、蒸发源材料及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：将Ta2O5粗粉、含有第一掺杂元素的第一掺杂源粉末和含有第二掺杂元素的第二掺杂源粉末进行混合，得到混合粉末；对混合粉末进行造粒，得到颗粒核，再在颗粒核的表面喷洒粒径为0.1μm‑0.5μm的Ta2O5细粉，以在颗粒核表面进行包覆，形成核壳式结构颗粒；对核壳式结构颗粒进行多阶段升温烧结，以形成单一亚稳相的蒸发源材料，蒸发源材料无第二相析出的Ta2O5‑x材料，其中0＜x＜0.2，Ta2O5‑x材料内核区域的氧空位浓度高于外壳区域。本发明方案在提高蒸发源光学性能的同时抑制飞溅现象，提升薄膜表面光洁度。

本发明授权一种真空蒸发镀膜方法、蒸发源材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于真空蒸发镀膜的蒸发源材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 将粒径为1μm-5μm的Ta2O5粗粉、含有第一掺杂元素的第一掺杂源粉末和含有第二掺杂元素的第二掺杂源粉末进行混合，得到混合粉末，所述第一掺杂元素和第二掺杂元素的总原子掺杂量为0.1at%-1at%，所述第一掺杂源粉末为五氧化二铌、五氧化二钒、五氧化二钨或五氧化二锑粉末，所述第二掺杂源粉末为氧化锆、氧化钛或氧化铪粉末； 对所述混合粉末进行造粒，得到粒径为0.8mm-1.2mm的颗粒核，再在所述颗粒核的表面喷洒粒径为0.1μm-0.5μm的Ta2O5细粉，以在所述颗粒核表面进行包覆，形成粒径为2.5mm-3.5mm的核壳式结构颗粒； 在氧气分压为10-5atm-10-4atm的低氧分压气氛下，对所述核壳式结构颗粒进行多阶段升温烧结，以形成单一亚稳相的蒸发源材料，所述蒸发源材料晶粒尺寸为20nm-50nm且无第二相析出的Ta2O5-x材料，其中0＜x＜0.2，所述Ta2O5-x材料内核区域的氧空位浓度高于外壳区域； 所述在氧气分压为10-5atm-10-4atm的低氧分压气氛下，对所述核壳式结构颗粒进行多阶段升温烧结，以形成单一亚稳相的蒸发源材料，包括如下步骤： 在氧气分压为10-5atm-10-4atm的低氧分压气氛下，以第一升温速率将温度升高至第一预设温度，并保温第一预设时间； 以第二升温速率将温度升高至第二预设温度，并保温第二预设时间； 以第三升温速率将温度升高至第三预设温度，并保温第三预设时间，其中，所述第二预设温度大于所述第一预设温度，且小于所述第三预设温度； 以预设降温速率冷却至室温，以形成所述蒸发源材料； 所述第一预设温度为400℃-600℃，所述第一预设时间为0.5h-1h； 所述第二预设温度为1000℃-1300℃，所述第二预设时间为1h-2h； 所述第三预设温度为1400℃-1800℃，所述第三预设时间为2h-4h； 所述第一升温速率、所述第三升温速率和所述预设降温速率均为2℃min-5℃min，所述第二升温速率为8℃min-12℃min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人巨玻固能(苏州)薄膜材料有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区江浦路41号3幢103室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。