上海财盈半导体股份有限公司张德才获国家专利权
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龙图腾网获悉上海财盈半导体股份有限公司申请的专利一种放电反应器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120364651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510872792.X，技术领域涉及：C01B13/11；该发明授权一种放电反应器及其制备方法是由张德才设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种放电反应器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种放电反应器及其制备方法，其属于放电反应技术领域，所述放电反应器包括第一电极层和第二电极层，在第一电极层和第二电极层之间层叠设置有至少一层介质层和至少一层气隙层，介质层与气隙层相邻，至少一层介质层的表面构造有多个凸点，凸点位于气隙层内且形成对气隙层厚度的限制和支撑，气隙层内凸点以外的部分形成贯通的气隙通道空间。本发明通过在介质层上构建凸点来限制和支撑气隙，精准控制气隙厚度，能够确保气隙厚度一致性，保证腔内均匀放电，在臭氧发生器中可提高臭氧浓度和产率，提升放电效率；同时通过凸点连接增强了介质层和电极层的稳固性，减少松动位移，维持电场稳定，保障设备稳定运行。
本发明授权一种放电反应器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种放电反应器，其特征在于，包括电极层，电极层包括第一电极层和第二电极层，在第一电极层和第二电极层之间层叠设置有至少一层介质层和至少一层气隙层，介质层与气隙层相邻，至少一层介质层的表面构造有多个凸点，凸点位于气隙层内且形成对气隙层厚度的限制和支撑，气隙层内凸点以外的部分形成贯通的气隙通道空间；凸点为通过激光分层刻蚀工艺在介质层表面构造形成；凸点在介质层表面均匀分布设置且所有凸点的高度相同；电极层为图形化的电极层，电极层在与凸点相对应的位置为空；气隙层厚度为20μm～200μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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