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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种氢离子注入后的SiC单晶衬底的面型修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120307104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510808307.2，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种氢离子注入后的SiC单晶衬底的面型修复方法是由邹兴;胡浩林;吕鹏飞;庄裕峯;许益民;王映德;万玉喜设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氢离子注入后的SiC单晶衬底的面型修复方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种氢离子注入后的SiC单晶衬底的面型修复方法，通过利用研磨盘的热膨胀随温度变化的特性对SiC单晶衬底离子注入后衬底面型进行修复，由于研磨盘研磨受热后，研磨盘边缘和盘面中间散热速度不同，研磨盘边缘和盘面中间膨胀幅度不一样，导致研磨盘边缘和中间与SiC单晶衬底接触面积和挤压力度有所不同，通过控制研磨过程中温度升高的范围，控制研磨盘变形的凸起程度，在挤压和研磨液的共同作用下将SiC单晶衬底的凹面挤压成平面，从而达到修复SiC单晶衬底面型的目的。

本发明授权一种氢离子注入后的SiC单晶衬底的面型修复方法在权利要求书中公布了：1.一种氢离子注入后的SiC单晶衬底的面型修复方法，其特征在于，包括： S1、对经过氢离子注入后的多片SiC单晶衬底进行面型检测，以检测弯曲度和翘曲度； S2、将弯曲度大于或等于第一预设值的所述SiC单晶衬底按照弯曲度最大值和最小值跨度在第二预设值内进行连续分组，所述第一预设值为30μm，所述第二预设值为50±5μm；将弯曲度大于或等于第一预设值的所述SiC单晶衬底分为四组：第一组对应的弯曲度为[30，80）μm，第二组对应的弯曲度为[80，130）μm，第三组对应的弯曲度为[130，180）μm，第四组对应的弯曲度为[180，230）μm； S3、提供热膨胀系数范围为15×10-6℃~24×10-6℃的研磨盘，根据所述分组的情况，确定各组所述SiC单晶衬底的弯曲度对应的所述研磨盘的凹度，以对所述研磨盘进行刻盘和修整处理，并对具有凹度的所述研磨盘盘面进行刻槽形成环形槽；其中，所述第一组对应的所述研磨盘的凹度为40±10μm，所述第二组对应的所述研磨盘的凹度为65±10μm，所述第三组对应的所述研磨盘的凹度为90±10μm，所述第四组对应的所述研磨盘的凹度为115±10μm； S4、将同一组的所述SiC单晶衬底的氢离子注入面粘贴在同一陶瓷盘上，将粘贴在所述陶瓷盘上的所述SiC单晶衬底的非注入面与所述研磨盘接触，固定单面研磨机的研磨头和所述陶瓷盘，在所述研磨盘的盘面滴加研磨液对所述SiC单晶衬底进行研磨加工； S5、在所述研磨加工的过程中，控制所述研磨盘的盘面温度为25~45℃，确保所述研磨盘产生形变以达到修复所述SiC单晶衬底的面型； S6、取下所述SiC单晶衬底，并对所述SiC单晶衬底进行清洗； S7、检测各所述SiC单晶衬底的弯曲度和翘曲度，确定弯曲度是否小于所述第一预设值，以及确定翘曲度是否小于第三预设值；若是，则修复成功；若否，则执行步骤S4~S7，直至弯曲度小于所述第一预设值，翘曲度小于所述第三预设值。

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