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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利超环形浮子上拉磁悬浮系统的三传感器测量方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119665841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411828086.7，技术领域涉及：G01B11/14；该发明授权超环形浮子上拉磁悬浮系统的三传感器测量方法及结构是由徐风雨;赵育栋设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本超环形浮子上拉磁悬浮系统的三传感器测量方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超环形浮子上拉磁悬浮系统的三传感器测量方法及结构，涉及磁悬浮技术领域，解决了偶极磁约束聚变装置内与浮子同水平面上的测距传感器挤占等离子体低压缩比约束区域的问题。本发明在浮子所在位置建立浮子坐标系，将浮子坐标系垂直向上平移得到传感器坐标系，在传感器坐标系中设置三处激光测距传感器发射光的零点基准，测量零点基准和浮子坐标系中对应的投影点位的距离，通过计算得到浮子的姿态角以及浮子上表面圆心和传感器之间的距离。本发明仅使用三个垂直方向的激光测距传感器即可提供超环形浮子悬浮控制所需两个姿态角和一个悬浮距离的反馈信号，无需使用水平面上的激光测距传感器，将低压缩比空间留给聚变能吸收部件。

本发明授权超环形浮子上拉磁悬浮系统的三传感器测量方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种超环形浮子上拉磁悬浮系统的三传感器测量方法，其特征在于：浮子3上表面平行水平面时建立直角坐标系X0Y0Z0，坐标系以浮子3圆环结构的圆心为坐标原点O；将坐标系X0Y0Z0沿-Z0方向平移得到传感器坐标系XsYsZs；定义三个激光测距传感器2分别为P1、P2和P3，P1、P2和P3发射光的零点基准分别为A、B和C，A点在Xs轴上；A、B和C三点在坐标系X0Y0Z0上的投影分别为A0、B0和C0，A0、B0和C0均布在浮子3上表面圆环的中径圆周上，A0在X0轴上；AA0、BB0、CC0分别代表P1、P2和P3的发射光线； 将平面坐标系X0OY0沿X0轴逆时针旋转角度α，得到平面坐标系X0OY1；将平面坐标系X0OY1沿Y1轴逆时针旋转角度β，得到平面坐标系X2OY1；发射光线AA0、BB0、CC0与平面坐标系X2OY1的交点分别为A2、B2、C2；用ΔzAC表示传感器P1和P3测距之差，即式中为A点到A2点的距离，为C点到C2点的距离；用ΔzBC表示传感器P2和P3测距之差，即式中为B点到B2点的距离，为C点到C2点的距离；姿态角α和β，以及浮子3上表面圆心O到传感器零点基准平面XsOsYs的距离d，计算公式分别为： 式中r为浮子3上表面中径圆周的半径。

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