山东大学栾彩娜获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利具有超宽禁带宽度的氧化钆单晶薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119571456B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411782413.X，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权具有超宽禁带宽度的氧化钆单晶薄膜及其制备方法与应用是由栾彩娜;肖洪地;张彪;马瑾;吴思齐设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有超宽禁带宽度的氧化钆单晶薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有超宽禁带宽度的氧化钆单晶薄膜及其制备方法与应用，Gd2O3单晶薄膜是立方结构的外延单晶薄膜，生长晶面是Gd2O3的222和或444，薄膜生长的外延关系Gd2O3111GaN0001与脉冲激光沉积采用工业级准分子激光器，激光波长为248nm，激光猝发长度20ns，激光点面积：0.05cm2。本发明的Gd2O3薄膜在可见光区的反射图谱显示在230nm‑700nm范围内反射率低于20％，薄膜的光学带隙为5.30eV‑5.55eV，是一种优异的宽禁带氧化物半导体候选材料。
本发明授权具有超宽禁带宽度的氧化钆单晶薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.Gd2O3单晶薄膜的制备方法，所述Gd2O3单晶薄膜是立方结构的外延单晶薄膜，生长晶面是Gd2O3的（222），薄膜生长的外延关系Gd2O3111GaN0001与Gd2O3[]GaN；薄膜在GaN衬底上外延生长的晶格失配≤5%； 包括步骤如下： 以Gd2O3陶瓷靶材为原材料，采用脉冲激光沉积方式，在GaN单晶衬底上制备Gd2O3外延单晶薄膜； 脉冲激光沉积制备Gd2O3单晶薄膜的工艺参数如下： 激光器单脉冲能量200~260mJ 脉冲频率2~8Hz 反应室压强1~10Pa 衬底温度650~750℃ 氧气流量10~30sccm。
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