华中科技大学童浩获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种显示器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119270529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411658212.9，技术领域涉及：G02F1/00；该发明授权一种显示器件是由童浩;谭青山;周启沛;汪宾浩;乐章;刘芮含;缪向水设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种显示器件，该显示器件包括：窄带吸收体结构，包括介质层和金属层；宽带吸收体结构，包括介质层、金属层和相变层，所述宽带吸收体结构中的金属层有多层，具有损耗，K值大于预设阈值，所述相变层位于多层金属层之间，所述宽带吸收体结构位于所述窄带吸收体结构之上，与所述窄带吸收体结构耦合，产生鲜艳的颜色。本发明具有结构简单，不易受环境的影响，在温度变化时，颜色反射率和饱和度变化不大，角度不敏感等优点。
本发明授权一种显示器件在权利要求书中公布了：1.一种显示器件，其特征在于，包括： 窄带吸收体结构，包括介质层和金属层； 宽带吸收体结构，包括介质层、金属层和相变层，所述宽带吸收体结构中的金属层有多层，具有损耗，K值大于预设阈值，所述相变层位于多层金属层之间，所述宽带吸收体结构位于所述窄带吸收体结构之上，与所述窄带吸收体结构耦合，产生鲜艳的颜色； 所述宽带吸收体结构包括从下到上依次布设的第一反射层、相变层、第一金属层、第一介质层和第二介质层； 所述宽带吸收体结构还包括第二金属层和第三金属层，所述第二金属层位于所述第一反射层和所述相变层之间，所述第三金属层位于所述所述相变层和所述第一金属层之间； 所述第二金属层和所述第三金属层的材料相同，为Ge、We或Ta，其K值大于1； 所述相变层为Ge2Sb2Se5或掺杂C、N元素的硫系相变材料，所述相变层的相变材料中各个元素比例可调，其相变前后K值和N值的变化随着波长的移动等值减小或者变大； 所述第一金属层为W、Ge或Ta，其K值大于1； 所述窄带吸收体结构包括从下到上依次布设的第二反射层、第三介质层、第四介质层和所述第一反射层。
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