苏州大学梁卓维获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种基于硅纳米线阵列的柔性传感器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119551629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411631571.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种基于硅纳米线阵列的柔性传感器件及其制备方法是由梁卓维;赵天翊;王玉生;孙宝全设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硅纳米线阵列的柔性传感器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于硅纳米线阵列的柔性传感器件及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、在硅片表面镀银后进行一次刻蚀，形成硅纳米线阵列；S2、对一次刻蚀后的硅片进行一次超声诱导、二次刻蚀，在硅纳米线阵列底部形成裂纹；S3、在硅纳米线阵列顶部涂抹增粘剂，然后在加热条件下将硅纳米线阵列转移至基底表面，并进行剥离、固化、二次超声诱导；S4、在二次超声诱导后的硅纳米线阵列顶部设置第二电极，得到所述的基于硅纳米线阵列的柔性传感器件。本发明所述的制备方法构建了底部聚集，顶部开放整齐的开花状硅纳米线阵列，可以更快的进行微小水滴的蒸发、摩擦、吸附、脱附、以获得更快的响应和更好的信噪比。
本发明授权一种基于硅纳米线阵列的柔性传感器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅纳米线阵列的柔性传感器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在硅片表面镀银后进行一次刻蚀，形成硅纳米线阵列； S2、对一次刻蚀后的硅片进行一次超声诱导、二次刻蚀，在硅纳米线阵列底部形成裂纹； S3、在硅纳米线阵列顶部涂抹增粘剂，然后在加热条件下将硅纳米线阵列转移至基底表面，并进行固化、二次超声诱导、剥离；所述基底包括聚合物基底和设置于所述聚合物基底表面的第一电极；所述第一电极设置于所述硅纳米线阵列和聚合物基底之间； S4、在二次超声诱导后的硅纳米线阵列顶部设置第二电极，得到所述的基于硅纳米线阵列的柔性传感器件； 所述一次超声诱导和所述二次超声诱导均是在水浴中进行超声处理；所述水浴的温度为55℃-65℃，所述超声处理是以42000Hz-48000Hz的频率超声处理2min-4min。
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