上海恩捷新材料科技有限公司王纯获国家专利权
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龙图腾网获悉上海恩捷新材料科技有限公司申请的专利一种集流体及其制备方法、极片、二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411598470.2，技术领域涉及：H01M4/66；该发明授权一种集流体及其制备方法、极片、二次电池是由王纯;孙龙龙;刘洋;程前;蔡裕宏;史秀琴;陈永乐;程跃设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集流体及其制备方法、极片、二次电池在说明书摘要公布了：一种集流体及其制备方法、极片、二次电池，属于电池技术领域；集流体包括基膜和附着于所述基膜至少一侧的金属层，所述集流体的表面接触角为60°～80°，所述集流体的方阻为2～200mΩ□；该集流体具有较低的表面接触角，在应用作为极片时，能够与活性材料层具有较大的附着力。同时，该集流体具有较低的方阻，使得其具有较好的导电性能，能够适应大电流工况。
本发明授权一种集流体及其制备方法、极片、二次电池在权利要求书中公布了：1.一种集流体的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 得到表面金属化的基膜； 对所述表面金属化的基膜进行电镀处理，得到集流体初品； 对所述集流体初品进行防氧化处理，得到集流体； 其中，所述电镀处理包括四段电镀，所述四段电镀中第三段电镀为晶粒粗化阶段电镀，所述晶粒粗化阶段电镀的工艺满足：电镀时间为10s~20s、电镀电流密度为2.5ASD~3ASD、电镀的温度为50℃~60℃；所述电镀处理的最后一段电镀为细晶强化阶段电镀；所述细晶强化阶段电镀的工艺满足：电镀时间为5s~30s、电镀电流密度为0.2ASD~1ASD、电镀的温度为20℃~30℃。
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