苏州园芯微电子技术有限公司翁国军获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州园芯微电子技术有限公司申请的专利一种MEMS芯片的封装结构及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223280637U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422743677.6，技术领域涉及：B81B7/02；该实用新型一种MEMS芯片的封装结构及电子设备是由翁国军;张春伟设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS芯片的封装结构及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种MEMS芯片的封装结构及电子设备，其中MEMS芯片的封装结构，包括：开设有相互连通的第一凹槽和第二凹槽的基板、具有第一腔的MEMS芯片、具有第二腔的ASIC芯片。MEMS芯片和ASIC芯片并排设置于基板上，MEMS芯片开设有第一腔的一侧覆盖第一凹槽，第一腔与第一凹槽连通，ASIC芯片开设有第二腔的一侧覆盖第二凹槽，第二腔与第二凹槽连通。本申请通过在基板上开设相连通的第一凹槽和第二凹槽扩充MEMS的背腔，能够在不增加封装结构尺寸的情况下实现背腔的有效扩展。ASIC芯片设置的第二腔充分利用了同排空间中厚度方向上的空间，提高了空间利用率，在不影响封装结构尺寸的同时，进一步了扩充背腔的尺寸，提高MEMS芯片的灵敏度。
本实用新型一种MEMS芯片的封装结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MEMS芯片的封装结构，其特征在于，包括： 基板10，所述基板10的一侧表面开设有相互连通的第一凹槽11和第二凹槽12； MEMS芯片20，所述MEMS芯片20具有第一腔21； ASIC芯片30，所述ASIC芯片30具有第二腔31； 其中，所述MEMS芯片20和所述ASIC芯片30并排设置于所述基板10开设有第一凹槽11和第二凹槽12的一侧表面，且所述MEMS芯片20和所述ASIC芯片30电连接，所述MEMS芯片20开设有第一腔21的一侧与所述基板10连接，并覆盖所述第一凹槽11，所述第一腔21与所述第一凹槽11连通，所述ASIC芯片30开设有第二腔31的一侧与所述基板10连接，并覆盖所述第二凹槽12，所述第二腔31与所述第二凹槽12连通。
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