江苏第三代半导体研究院有限公司王国斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种反应器及半导体材料生长设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223280935U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422647755.2，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型一种反应器及半导体材料生长设备是由王国斌;周溯沅设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反应器及半导体材料生长设备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体加工技术领域，公开一种反应器及半导体材料生长设备。反应器包括壳体、升降装置、加热装置和喷淋装置。壳体设置有反应腔；升降装置包括升降驱动件和载盘，升降驱动件设置于反应腔的腔底，升降驱动件驱动连接于载盘，以使载盘在第一反应区和第二反应区之间升降移动；加热装置包括第一加热件和第二加热件，第一加热件用于加热第一反应区至第一预设温度；第二加热件用于加热第二反应区至第二预设温度；第一反应区高于第二反应区，第一预设温度小于第二预设温度；喷淋装置设置于反应腔的顶部，喷淋装置用于喷射反应物。本实用新型在一个反应器内进行漂移层和极化层的生长，二维电子气的迁移率更高，耐压性能也更好。
本实用新型一种反应器及半导体材料生长设备在权利要求书中公布了：1.一种反应器，其特征在于，包括： 壳体1，其设置有反应腔11； 升降装置2，其包括升降驱动件和载盘21，所述升降驱动件设置于所述反应腔11的腔底，所述升降驱动件驱动连接于所述载盘21，以使所述载盘21在第一反应区12和第二反应区13之间升降移动； 加热装置3，其包括第一加热件31和第二加热件32，所述第一加热件31用于加热所述第一反应区12至第一预设温度；所述第二加热件32用于加热所述第二反应区13至第二预设温度；所述第一反应区12高于所述第二反应区13，所述第一预设温度小于所述第二预设温度； 喷淋装置4，其设置于所述反应腔11的顶部，所述喷淋装置4用于喷射反应物。
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