武汉大学沈威获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种考虑界面粗糙度分布的接触热阻测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119510488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411525392.3，技术领域涉及：G01N25/20；该发明授权一种考虑界面粗糙度分布的接触热阻测量方法是由沈威;陈民;王诗兆;田志强;倪闻涛设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种考虑界面粗糙度分布的接触热阻测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种考虑界面粗糙度分布的接触热阻测量方法，属于薄膜沉积技术领域。方法包括获取下层薄膜上表面的形貌结构数据，并根据下层薄膜上表面的形貌结构数据构建下层薄膜表面分布函数；上层薄膜沉积后，获取上层薄膜上表面的形貌结构数据，并根据上层薄膜上表面的形貌结构数据构建上层薄膜表面分布函数；基于下层薄膜表面分布函数和上层薄膜表面分布函数计算初始空洞占比；按设定角度沿中轴线旋转上层薄膜三维图，计算每次旋转后的空洞占比；根据初始空洞占比和每次旋转后的空洞占比，构建不同空洞占比的有限元模型，并测量不同空洞占比下的接触热阻。本发明考虑了界面粗糙度分布对接触热阻的影响，得到不同空洞占比下的接触热阻。
本发明授权一种考虑界面粗糙度分布的接触热阻测量方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑界面粗糙度分布的接触热阻测量方法，其特征在于，包括： 获取下层薄膜上表面的形貌结构数据，并根据下层薄膜上表面的形貌结构数据构建下层薄膜表面分布函数； 上层薄膜沉积后，获取上层薄膜上表面的形貌结构数据，并根据上层薄膜上表面的形貌结构数据构建上层薄膜表面分布函数； 基于所述下层薄膜表面分布函数和上层薄膜表面分布函数计算初始空洞占比； 基于下层薄膜上表面和上层薄膜上表面的形貌结构数据，在三维模型空间中，按设定角度沿中轴线旋转所述上层薄膜三维图，计算每次旋转后的空洞占比； 根据初始空洞占比和每次旋转后的空洞占比，构建不同空洞占比的有限元模型，并通过有限元模型测量不同空洞占比下的接触热阻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉大学，其通讯地址为：430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励