苏州园芯微电子技术有限公司翁国军获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州园芯微电子技术有限公司申请的专利一种传感器芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223280636U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422599010.3，技术领域涉及：B81B7/02；该实用新型一种传感器芯片是由翁国军设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种传感器芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种传感器芯片，其特征在于，所述传感器芯片包括多层结构，所述多层结构包括：硅衬底；硅衬底具有在其厚度方向相对而设的第一侧和第二侧，背板、牺牲层以及振膜层叠设置于第一侧；牺牲层设置于背板以及振膜之间；背板为多边形结构；振膜上设置有围绕背板周向设置的至少一个第一挖槽；第一挖槽贯穿所述多层结构中的一层或多层。本实用新型通过在传感器芯片中设置贯穿多层结构的挖槽，以实现对于多边形膜层结构中存在的应力进行释放与平衡，减少应力对于振膜结构、完整性等多方面的影响，从而提高传感器芯片的可靠性。
本实用新型一种传感器芯片在权利要求书中公布了：1.一种传感器芯片，其特征在于，所述传感器芯片包括多层结构1，所述多层结构1包括： 硅衬底2；所述硅衬底2具有在其厚度方向相对而设的第一侧以及第二侧，背板4、牺牲层5以及振膜6层叠设置于所述第一侧；所述牺牲层5设置于所述背板4以及所述振膜6之间； 所述背板4为多边形结构；所述振膜6上设置有围绕所述背板4周向设置的至少一个第一挖槽7；所述第一挖槽7贯穿所述多层结构1中的一层或多层。
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