苏州亿麦矽半导体技术有限公司黄高获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州亿麦矽半导体技术有限公司申请的专利一种半导体封装桥接结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223284985U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422542365.9，技术领域涉及：H01L23/498；该实用新型一种半导体封装桥接结构是由黄高;孙雨成;王永辉;环珣设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体封装桥接结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体封装桥接结构，包括支撑限位框，基板，芯片本体，介电材料层，布线层，支撑柱，塑封层和RDL增层，该支撑限位框内嵌装有基板，该基板上端面固定开设有嵌埋槽，该嵌埋槽内嵌装有不同类型的芯片本体，该基板上端面固定设有介电材料层，该介电材料层上开设有图形槽，该图形槽内设有布线层，该布线层上端面固定设有支撑柱，该介电材料层上端面固定设有塑封层，该塑封层上端面设有RDL增层，该RDL增层与支撑柱固定连接，本实用新型通过在基板上进行不同类型的芯片预排布，再通过介电材料进行芯片的固定，在介电材料层上开窗电镀形成芯片连接的RDL，提升了最终封装基板中心层结构整体的良率，提高了结构的可靠性。
本实用新型一种半导体封装桥接结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装桥接结构，包括支撑限位框，基板，芯片本体，介电材料层，布线层，支撑柱，塑封层和RDL增层，其特征在于：该支撑限位框内嵌装有基板，该基板上端面固定开设有嵌埋槽，该嵌埋槽内嵌装有不同类型的芯片本体，该基板上端面固定设有介电材料层，该介电材料层上开设有图形槽，该图形槽内设有布线层，该布线层与芯片本体的输出输入端固定连接，该布线层上端面固定设有支撑柱，该介电材料层上端面固定设有塑封层，该塑封层上端面设有RDL增层，该RDL增层与支撑柱固定连接。
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