电子科技大学长三角研究院(湖州)廖永波获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种新型纳米墙NWaFET的制作及其验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210608161.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种新型纳米墙NWaFET的制作及其验证方法是由廖永波;冯珂;刘仰猛;刘玉婷;徐璐;路远;黄乐天设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型纳米墙NWaFET的制作及其验证方法在说明书摘要公布了：本发明专利涉及集成电路技术领域，尤其指一种新型纳米墙NWaFET的制作及其验证方法。制作方法包括以下步骤：S1外延生长：首先在P型衬底上通过外延生长技术依次生长出具有一定厚度的外延层；S2刻蚀：将外延层多余的部分刻蚀除去；S3热氧化：通过热氧化工艺，生长SiO2；S4离子注入：在本征硅注入层上，通过离子注入工艺进行掺杂；S5再刻蚀：进一步刻蚀环形槽和矩形槽；S6淀积金属；验证方法包括以下步骤：S7版图设计与流片:设计相应宽长比的器件，并进行抽样测试；S8封装：对所设计的带有抗辐照结构器件的芯片进行PCB封装；S9辐照：将器件进行辐照测试。该方法可以有效抑制阈值电压Vth的漂移和关断电流Ioff的增加，提高抗TID效应能力。
本发明授权一种新型纳米墙NWaFET的制作及其验证方法在权利要求书中公布了：1.一种新型纳米墙NWaFET的制作方法，其特征在于，所述的制作方法包括以下步骤： S1外延生长：首先在P型衬底（1）上通过外延生长技术依次生长出具有一定厚度的外延层（2），所述外延层（2）从下往上依次为N+外延层（3）和N-外延层（4）、P+外延层（5）、本征硅层（6）； S2刻蚀：将所述外延层（2）多余的部分刻蚀除去，余下部分作为N-漏区（7）、沟道P+区（8）、本征硅注入层（9）； S3热氧化：刻蚀的部分通过热氧化工艺，生长SiO2层（17）； S4离子注入：在本征硅注入层（9）上，通过离子注入工艺形成N-源区（10），所述N-源区（10）中再通过离子注入形成N+源区（11）和沟道P+区的掺杂； S5再刻蚀：进一步刻蚀得到环形槽（12）和矩形槽（13）； S6淀积金属：在所述环形槽（12）和所述矩形槽（13）内淀积金属。
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