上海华力微电子有限公司郑鸿柱获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210418472.3，技术领域涉及：H10B41/42；该发明授权半导体结构及其制造方法是由郑鸿柱;张利东设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。本发明提供的半导体结构制造方法中，先在存储单元区和逻辑电路区中形成第一氧化层和氮化硅层；然后，对逻辑电路区进行保护，并对存储单元区执行第一刻蚀工艺，以去除存储单元区中栅极结构顶部和衬底上的氮化硅层；接着，在存储单元区和逻辑电路区中沉积第二氧化层，并对存储单元区和逻辑电路区执行第二刻蚀工艺，以在存储单元区和逻辑电路区中的栅极结构的侧壁上形成ONO结构的侧墙。利用本发明提供的制造方法，对逻辑电路区仅执行一次刻蚀工艺，有效防止发生过刻蚀，保护侧墙结构不被损伤，确保后续工艺不受影响，从而有助于提高器件良率和可靠性。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于， 提供衬底，所述衬底包括存储单元区和逻辑电路区，所述存储单元区和所述逻辑电路区中均形成有栅极结构； 依次形成第一氧化层和氮化硅层，覆盖各个所述栅极结构及所述衬底； 在所述逻辑电路区中覆盖保护层，并将所述存储单元区暴露出来； 采用第一刻蚀工艺，刻蚀去除所述存储单元区中位于所述栅极结构顶部和所述衬底上的氮化硅层； 去除所述逻辑电路区中的所述保护层； 形成第二氧化层，覆盖各个所述栅极结构及所述衬底，其中，在所述存储单元区中，所述第二氧化层填满相邻的栅极结构之间的空隙； 采用第二刻蚀工艺，刻蚀去除所述存储单元区中位于所述栅极结构顶部和所述栅极结构之间的第二氧化层和第一氧化层，以及去除所述逻辑电路区中位于所述栅极结构和所述衬底上的第二氧化层、氮化硅层和第一氧化层，以在所述存储单元区和所述逻辑电路区中的栅极结构的侧壁上形成侧墙结构。
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