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龙图腾网获悉昆山龙腾光电股份有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109200.5，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及其制作方法是由钟德镇;苏子芳;张军设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：一种阵列基板及其制作方法，阵列基板包括：基底；形成在基底上的扫描线和栅极，栅极与扫描线导电连接；覆盖在扫描线和栅极上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的漏极、像素电极、源极和数据线，其中像素电极与漏极由第一透明导电层经过图案化处理而形成且两者导电连接，数据线与源极由第二金属层经过图案化处理而形成且两者导电连接，源极与漏极间隔设置形成沟道区；至少覆盖在漏极、沟道区和源极上的金属氧化物半导体层，金属氧化物半导体层填入沟道区并与漏极和源极导电连接；覆盖在金属氧化物半导体层上的绝缘遮光层，绝缘遮光层与金属氧化物半导体层上下重叠设置。本发明的阵列基板及其制作方法不仅节约了成本，还减少了光生漏电现象。

本发明授权阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括： 基底11； 形成在所述基底11上的扫描线121和栅极122，所述栅极122与所述扫描线121导电连接； 覆盖在所述扫描线121和所述栅极122上的第一绝缘层13； 形成在所述第一绝缘层13上的漏极141、像素电极142、源极151和数据线152，其中所述像素电极142与所述漏极141由第一透明导电层14经过图案化处理而形成且两者导电连接，所述数据线152与所述源极151由第二金属层15经过图案化处理而形成且两者导电连接，所述源极151与所述漏极141间隔设置形成沟道区101； 至少覆盖在所述漏极141、所述沟道区101和所述源极151上的金属氧化物半导体层181，所述金属氧化物半导体层181填入所述沟道区101并与所述漏极141和所述源极151导电连接； 覆盖在所述金属氧化物半导体层181上的绝缘遮光层191，所述绝缘遮光层191与所述金属氧化物半导体层181上下重叠设置。

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