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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639592B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210095235.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法是由宁静;武海迪;张进成;贾彦青;王东;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在金刚石衬底上制备氮化铝成核层；步骤2：在铜箔表面生长石墨烯层；步骤3：将石墨烯层从铜箔转移至氮化铝成核层上；步骤4：在石墨烯层上外延生长氮化镓外延层，得到金刚石基氮化镓外延的衬底结构。本发明的金刚石基氮化镓外延的衬底结构的制备方法，首先在金刚石衬底上低温磁控溅射了一层氮化铝成核层，再通过转移的方式将石墨烯层转移至氮化铝成核层上，然后再进行氮化镓外延生长，外延得到的氮化镓层具有良好的晶格取向，氮化铝成核层起到了晶格修正的作用。

本发明授权金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石基氮化镓外延的衬底结构的制备方法，其特征在于，包括： 步骤1：在金刚石衬底上制备氮化铝成核层；所述步骤1包括： 步骤1.1：对所述金刚石衬底和Al靶分别进行预处理；所述步骤1.1包括： 步骤1.1.1：将所述金刚石衬底加热至500-600oC，在氩气和氮气的混合气氛下，反溅射轰击所述金刚石衬底，去除所述金刚石衬底表面的氧化层，并使所述金刚石衬底表面氮化； 步骤1.1.2：在氩气气氛下，对所述Al靶进行预溅射，去除所述Al靶表面的氧化层和杂质；在步骤1.1.2中，预溅射工艺为：溅射功率为45-60W，溅射时长为4-10min； 步骤1.2：在氩气和氮气的混合气氛下，利用磁控溅射工艺在预处理后的金刚石衬底上淀积氮化铝成核层，其中，溅射功率为45-60W，淀积时长为15-65min，所述氮化铝成核层的厚度为15-100nm； 步骤2：在铜箔表面生长石墨烯层； 步骤3：将所述石墨烯层从所述铜箔转移至所述氮化铝成核层上，石墨烯层和磁控溅射的氮化铝成核层作为复合插入层； 步骤4：在所述石墨烯层上外延生长氮化镓外延层，得到金刚石基氮化镓外延的衬底结构。

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