华虹半导体(无锡)有限公司梁金娥获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111554731.7，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权半导体结构的形成方法是由梁金娥;冯秦旭;林建树;邢中豪设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成牺牲结构；在所述牺牲结构侧壁表面和顶部表面形成隔离介质层；在所述衬底上形成第一外延层，所述第一外延层暴露出部分所述隔离介质层的顶部及侧壁表面，且在暴露出的所述隔离介质层表面形成第二外延层；对所述第一外延层以及第二外延层进行改性处理，在所述第一外延层的表面形成第一牺牲层，并将所述第二外延层转化为第二牺牲层；在形成第一牺牲层以及第二牺牲层后，对所述第一外延层进行离子注入；对所述第一外延层进行离子注入后，去除所述第一牺牲层、第二牺牲层以及隔离介质层。所述半导体结构的形成方法提升了器件的电学性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底上形成牺牲结构； 在所述牺牲结构侧壁表面和顶部表面形成隔离介质层，所述隔离介质层的材料包括氮化硅； 在所述衬底上形成第一外延层，所述第一外延层暴露出部分所述隔离介质层的顶部及侧壁表面，且在暴露出的所述隔离介质层表面形成第二外延层； 对所述第一外延层以及第二外延层进行改性处理，在所述第一外延层的表面形成第一牺牲层，并将所述第二外延层转化为第二牺牲层，对所述第一外延层以及第二外延层进行改性处理的方法包括氧化处理或氮化处理； 在形成第一牺牲层以及第二牺牲层后，对所述第一外延层进行离子注入； 对所述第一外延层进行离子注入后，去除所述第一牺牲层、第二牺牲层以及隔离介质层。
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