长江存储科技有限责任公司苏界获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121979B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111245069.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维存储器及其形成方法是由苏界;郑晓芬;张丝柳;王家成设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的堆叠结构、以及贯穿所述堆叠结构的栅极隔槽，所述堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和导电层，所述导电层还覆盖所述栅极隔槽的侧壁和底壁；于所述栅极隔槽内形成覆盖所述导电层表面的介质层；对所述介质层进行改性处理，使得至少所述介质层底部的刻蚀速率大于所述介质层顶部的刻蚀速率；刻蚀掉改性后的所述介质层、以及至少位于所述栅极隔槽侧壁和底壁上的所述导电层。本发明减少甚至是避免了所述导电层在所述栅极隔槽底部的残留，改善了栅极之间发生漏电的现象。
本发明授权三维存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的堆叠结构、以及贯穿所述堆叠结构的栅极隔槽，所述堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和导电层，所述导电层还覆盖所述栅极隔槽的侧壁和底壁； 于所述栅极隔槽内形成覆盖所述导电层表面的介质层； 对所述介质层进行改性处理，使得至少所述介质层底部的刻蚀速率大于所述介质层顶部的刻蚀速率； 刻蚀掉改性后的所述介质层、以及至少位于所述栅极隔槽侧壁和底壁上的所述导电层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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