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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种封装结构以及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111165993.4，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权一种封装结构以及封装方法是由陈小璇设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装结构以及封装方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体封装领域，提供一种封装结构以及封装方法，一种封装结构包括：第一金属层以及第二金属层，第一金属层位于电路区的第一面，第二金属层位于支撑区的第一面；第三金属层以及第四金属层，第三金属层位于电路区的第二面且与导电结构电连接，第四金属层位于支撑区的第二面；其中，至少两个堆叠设置的半导体结构中的一个半导体结构的第一面与其相邻的另一半导体结构的第二面正对，且半导体结构的第一金属层与处于相邻层的半导体结构的第三金属层接触键合，半导体结构的第二金属层与处于相邻层的半导体结构的第四金属层接触键合，可以解决集成电路中热问题。

本发明授权一种封装结构以及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种封装方法，其特征在于，包括： 提供至少两个半导体结构，形成所述半导体结构的工艺步骤包括：提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括相对的第一面和第二面，且所述初始半导体结构包括电路区以及支撑区，所述电路区的所述初始半导体结构内具有导电结构；在所述初始半导体结构的第一面形成第一金属膜，图形化位于所述电路区的所述第一金属膜，剩余的所述电路区的所述第一金属膜作为所述第一金属层，位于所述支撑区的所述第一金属膜作为所述第二金属层；在所述初始半导体结构的第二面形成第二金属膜，图形化位于所述电路区的所述第二金属膜，剩余的所述电路区的所述第二金属膜作为所述第三金属层，位于所述支撑区的所述第二金属膜作为所述第四金属层； 每一所述半导体结构包括相对的第一面和第二面，且所述半导体结构包括电路区以及支撑区，所述电路区的所述半导体结构内具有导电结构；所述半导体结构还包括： 第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层位于所述电路区的第一面，所述第二金属层位于所述支撑区的第一面； 第三金属层以及第四金属层，所述第三金属层位于所述电路区的第二面且与所述导电结构电连接，第四金属层位于所述支撑区的第二面； 对至少两个所述半导体结构进行键合处理，以使所述至少两个所述半导体结构中的一个所述半导体结构的所述第一面与其相邻的另一所述半导体结构的所述第二面正对，且所述半导体结构的第一金属层与处于相邻层的所述半导体结构的第三金属层接触键合，所述半导体结构的第二金属层与处于相邻层的所述半导体结构的第四金属层接触键合。

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