厦门三安光电有限公司叶大千获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种外延结构和发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211048309.9，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种外延结构和发光二极管是由叶大千设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延结构和发光二极管在说明书摘要公布了：本申请公开一种外延结构和发光二极管，包括n型层、p型层和有源层，有源层包括In的具有第一峰形的第一浓度轮廓；重掺杂层位于n型层和有源层之间，且包括Si的具有第二峰形的第二浓度轮廓；电流扩展层位于重掺杂层和有源层之间，且包括In的具有第三峰形的第三浓度轮廓；第三峰形的峰顶与第一峰形的峰顶的最小距离为D1，第三峰形的峰顶与第二峰形的峰顶的最小距离为D2，且D1与D2的比值小于1:7。电流扩展层尽可能接近有源层并在受到静电冲击时有效引导冲击电流，保护有源层不易被静电击穿；同时，电流扩展层与重掺杂层之间的区域为电子存储区，在受到静电冲击时可降低外延结构被静电击穿的风险，从而提升外延结构和发光二极管的抗静电能力。
本发明授权一种外延结构和发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： n型层、p型层和位于两者之间的有源层，所述有源层包括In的第一浓度轮廓，所述第一浓度轮廓包括若干个第一峰形； 电流扩展层，位于所述n型层和有源层之间，且包括In的第三浓度轮廓，所述第三浓度轮廓包括若干个第三峰形，所述第三峰形的峰顶与所述第一峰形的峰顶的最小距离为D1，其中D1小于20nm； 第一中间层，位于所述电流扩展层与有源层之间； 重掺杂层，位于所述n型层和电流扩展层之间，且包括Si的第二浓度轮廓，第二浓度轮廓包括第二峰形，第三峰形的峰顶与第二峰形的峰顶的最小距离为D2，其中D2大于150nm； 低掺杂层，位于所述n型层与重掺杂层之间； 所述电流扩展层和重掺杂层之间包括有第二中间层，所述第二中间层的厚度小于所述第三峰形的峰顶与所述第二峰形的峰顶的最小距离D2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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