力特半导体(无锡)有限公司曾剑飞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉力特半导体(无锡)有限公司申请的专利半导体台面器件形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110335748.7，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体台面器件形成方法是由曾剑飞设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体台面器件形成方法在说明书摘要公布了：一种形成半导体器件的方法可以包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域和被布置在内部区域上的表面层，其中所述表面层包括与第一极性相反的第二极性。所述方法可以进一步包括使用锯去除半导体衬底的表面部分，其中沟槽区域被形成在半导体衬底内，并且使用化学工艺清洗沟槽区域，其中至少一个台面结构被形成在半导体衬底内。
本发明授权半导体台面器件形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域，和在所述半导体衬底的第一侧上被布置在所述内部区域上的第一表面层，和在与所述第一侧相对的所述半导体衬底的第二侧上被布置在所述内部区域上的第二表面层，其中，所述第一表面层和所述第二表面层包括与所述第一极性相反的第二极性，其中，所述第一表面层和所述半导体衬底的第一侧上的内部区域限定第一p结，所述第二表面层和半导体衬底的第二侧上的内部区域限定第二p结，其中所述第一表面层和第二表面层在单个扩散过程中被形成，所述单个扩散过程还分别在所述第一表面层和第二表面层上形成第一氧化层和第二氧化层； 在第一表面上使用锯去除所述半导体衬底的第一表面部分，并且在第二表面上使用锯去除所述半导体衬底的第二表面部分，其中第一沟槽区域被形成在所述第一表面上的半导体衬底内并且至少延伸到所述第一p结的深度，并且第二沟槽区域被形成在所述第二表面上的半导体衬底内并且至少延伸到所述第二p结的深度；以及 使用化学工艺清洗所述第一沟槽区域和所述第二沟槽区域，其中至少一个台面结构被形成在所述第一侧上的半导体衬底内，并且至少一个额外台面结构被形成在所述第二侧上的半导体衬底内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人力特半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214142 江苏省无锡市新区硕放振发六路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号