华为技术有限公司张湘辉获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种集成电路、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110310515.1，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权一种集成电路、芯片及电子设备是由张湘辉;张译;张亚文;吴磊;吴剑锋;滕照宇;李挺钊;张彬彬;王强设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电路、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种集成电路、芯片及电子设备，涉及微电子电路技术领域，可以改善因静电放电导致的集成电路失效。集成电路，包括：衬底以及设置在衬底上的晶体管；晶体管的栅极与开关器件的第一端耦合，开关器件的第二端与接地端耦合；其中，开关器件被配置为在控制端接收的控制信号的控制下处于导通状态或断开状态；开关器件在导通状态将晶体管的栅极的静电电压传输至接地端；或者，开关器件在断开状态将晶体管的栅极与接地端断路。
本发明授权一种集成电路、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路用于射频模组，包括：衬底以及设置在所述衬底上的晶体管；所述晶体管的栅极与开关器件的第一端耦合，所述开关器件的第二端与接地端耦合；所述晶体管用于所述射频模组的功率放大器PA； 其中，所述开关器件被配置为在控制端接收的控制信号的控制下处于导通状态或断开状态；所述开关器件在导通状态将所述晶体管的栅极的静电电压传输至所述接地端；或者，所述开关器件在断开状态将所述晶体管的栅极与所述接地端断路； 所述晶体管包括HEMT，以及所述开关器件包括耗尽型HEMT，所述耗尽型HEMT的栅介质层与所述晶体管的栅介质层采用相同的材料，所述耗尽型HEMT的势垒层与所述晶体管的势垒层采用相同材料，并且所述耗尽型HEMT的栅介质层的厚度大于所述晶体管的栅介质层的厚度，所述耗尽型HEMT的势垒层的厚度小于所述晶体管的势垒层的厚度。
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