铠侠股份有限公司本间荘一获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110208824.8，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由本间荘一;右田达夫;三浦正幸;前田竹识;加藤和弘;山本进设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本案涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有第1面及与该第1面相反之侧的第2面，且在第1面上设置着半导体元件。柱状电极设置在第1面的上方，且电连接于半导体元件的任一个。第1部件在第1面的上方，设置在柱状电极的周边。绝缘材料被覆柱状电极及第1部件。第1部件比柱状电极及绝缘材料硬。第1部件及柱状电极从绝缘材料的表面露出。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体芯片，具有第1面及与所述第1面相反之侧的第2面，且在所述第1面侧设置着半导体元件； 柱状电极，在将从所述第2面朝向所述第1面的方向设为上方向时，设置在所述第1面的上方，且电连接于所述半导体元件的任一个； 第1部件，在所述第1面的上方，设置在所述柱状电极的周边；以及 第1绝缘材料，设置在所述柱状电极及所述第1部件的周围； 所述第1部件比所述柱状电极及所述绝缘材料硬， 所述第1部件及所述柱状电极从所述绝缘材料的上方向侧的表面露出。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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