长鑫存储技术有限公司邓升成获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利工艺偏差检测电路与工艺偏差检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114675159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011550999.9，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权工艺偏差检测电路与工艺偏差检测方法是由邓升成;许家齐;邱安平设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本工艺偏差检测电路与工艺偏差检测方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种工艺偏差检测电路与工艺偏差检测方法，所述工艺偏差检测电路设置在芯片中，包括：第一环形振荡器，所述第一环形振荡器的相邻两个反相器之间均设置有第一数量的预设种类的辅助元件；第二环形振荡器，所述第二环形振荡器的相邻两个反相器之间均设置有第二数量的所述预设种类的辅助元件，所述第二数量大于所述第一数量；所述第一环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸与所述第二环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸相同，所述辅助元件的种类和连接方式与所述芯片的待测元件参数对应。本公开实施例可以检测芯片中多种参数的工艺偏差情况。
本发明授权工艺偏差检测电路与工艺偏差检测方法在权利要求书中公布了：1.一种工艺偏差检测电路，其特征在于，所述工艺偏差检测电路设置在芯片中，包括： 第一环形振荡器，所述第一环形振荡器的相邻两个反相器之间均设置有第一数量的预设种类的辅助元件； 第二环形振荡器，所述第二环形振荡器的相邻两个反相器之间均设置有第二数量的所述预设种类的辅助元件，所述第二数量大于所述第一数量； 所述第一环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸与所述第二环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸相同，所述辅助元件的种类和连接方式与所述芯片的待测元件参数对应； 所述待测元件参数包括晶体管栅极电容，所述预设种类的辅助元件为负载反相器，所述第一环形振荡器的每个反相器的输出端均连接第一数量个所述负载反相器的输入端，所述第二环形振荡器的每个反相器的输出端均连接第二数量个所述负载反相器的输入端，每个所述负载反相器的输出端均浮空。
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