圣邦微电子(北京)股份有限公司易新敏获国家专利权
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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种充电电流检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114740321B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011553779.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种充电电流检测电路是由易新敏;刘晓琳;徐海峰;李雅淑;马玲莉;贾丽伟设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种充电电流检测电路在说明书摘要公布了：一种充电电流检测电路，其特征在于：模拟电路由减法器、乘法器、加法器和除法器组成，用于对降压充电电路的输出电流进行测量和计算；减法器的正相输入端为反向阻断MOS管的源漏极电流IAC，负相输入端为反向阻断MOS管的漏极电压VPMID的倍数，输出端与乘法器的输入端连接；乘法器的输入端一端连接反向阻断MOS管的漏极电压VPMID，另一端连接减法器的输出端，输出端与除法器连接；加法器的输入端分别与电池电压VBAT连接，与除法器的输出端加权连接并反馈IBAT，输出与除法器的另一端连接；除法器输出端为电池电流。利用本发明中的方法，能准确地对充电电流进行检测，节约成本、减小芯片面积、降低功耗。
本发明授权一种充电电流检测电路在权利要求书中公布了：1.一种充电电流检测电路，其特征在于： 所述充电电流检测电路的模拟电路由减法器、乘法器、加法器和除法器组成，用于对降压充电电路的输出电流进行测量和计算；所述降压充电电路包括反向阻断MOS管； 其中，所述减法器的正相输入端为反向阻断MOS管的源漏极电流IAC，负相输入端为反向阻断MOS管的漏极电压VPMID的倍数，输出端与所述乘法器的输入端连接； 所述乘法器的输入端一端连接反向阻断MOS管的漏极电压VPMID，另一端连接减法器的输出端，输出端与除法器连接； 所述加法器的输入端分别与电池电压VBAT连接，与除法器的输出端加权连接并反馈IBAT，输出与除法器的另一端连接；权重为RON+RESR，其中，RON为所述降压充电电路中第一开关管MH和第二开关管ML的源漏极导通电阻，RESR为电感寄生电阻的电阻值； 所述除法器输出端为电池电流。
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