旺宏电子股份有限公司苏俊联获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利闪存系统及闪存装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114625308B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011531758.X，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权闪存系统及闪存装置是由苏俊联;洪俊雄;洪硕男设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存系统及闪存装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存系统及其闪存装置。闪存装置包括与非门闪存以及控制电路。与非门闪存包括高速缓存、页面缓冲器以及与非门闪存阵列。与非门闪存阵列包括多个页面，其中各页面包括多个子页面，各子页面具有子页面长度。页面缓冲器由多个子页面缓冲区组成，上述多个子页面缓冲区对应与非门闪存阵列中不同的页面。高速缓存由多个子缓存区组成，上述多个子缓存区对应与非门闪存阵列中不同的页面。控制电路耦接与非门闪存，以一个子页面的为单位执行存取操作。
本发明授权闪存系统及闪存装置在权利要求书中公布了：1.一种闪存装置，其中，包括： 一与非门闪存，包括： 一与非门闪存阵列，包括多个页面，其中各该页面包括多个子页面，各该子页面具有一子页面长度； 一高速缓存，该高速缓存由多个子缓存区组成，该些子缓存区对应该与非门闪存阵列中不同的页面；以及 一页面缓冲器，该页面缓冲器由多个子页面缓冲区组成，该些子页面缓冲区对应该与非门闪存阵列中不同的页面，其中所述页面缓冲器和所述高速缓存中的相同子页面偏移的多个子页面中的每个子页面来自所述与非门闪存阵列的不同页面；以及 一控制电路，耦接该与非门闪存，以一个子页面为单位执行一存取操作。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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