株式会社索思未来田中英俊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社索思未来申请的专利半导体集成电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114600242B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080074126.7，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体集成电路装置是由田中英俊设计研发完成，并于2020-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体集成电路装置在说明书摘要公布了：提供一种在半导体集成电路装置中可充分抑制闩锁现象的发生的结构。在输出电路中，输出晶体管P1与和外部输出端子相连的ESD保护二极管D1分离布置，且在输出晶体管P1与ESD保护二极管D1之间布置有保护电阻R1。保护电阻R1分在多个电阻区21形成，在电阻区21彼此之间，形成有向衬底或阱供给电源电压的抽头。施加到外部输出端子的噪声在到达输出晶体管P1之前，被保护电阻R1衰减，并通过抽头被吸收。
本发明授权半导体集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路装置，包括输出电路，其特征在于： 所述输出电路包括： 外部输出端子； 向所述外部输出端子输出输出信号的第一输出晶体管； 与所述外部输出端子相连的第一ESDElectoStaticDischarge，静电放电保护二极管；以及 连接在所述第一输出晶体管与所述第一ESD保护二极管之间的第一保护电阻， 俯视时，所述第一输出晶体管与所述第一ESD保护二极管分离布置，且在所述第一输出晶体管与所述第一ESD保护二极管之间，布置有所述第一保护电阻， 所述第一保护电阻分在多个电阻区形成，在所述电阻区彼此之间，形成有向衬底或阱供给电源电压的抽头。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社索思未来，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号