无锡华润上华科技有限公司冯冰获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010698027.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由冯冰设计研发完成，并于2020-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆上形成有金属层；在所述晶圆上形成第一金属间介电层；对所述第一金属间介电层进行加热处理；对所述第一金属间介电层进行氧化处理；在所述第一金属间介电层上形成第二金属间介电层。根据本发明的半导体器件的制作方法，通过对第一金属间介电层进行加热处理和氧化处理，以在第一金属间介电层和第二金属间介电层之间的界面处形成致密的氧化层，避免水汽侵蚀以及游离F离子的扩散与析出，从而避免了在晶圆边缘处生成气泡状缺陷，提高了晶圆的良率。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆上形成有金属层，所述金属层包括铝铜合金； 在所述晶圆上采用高密度等离子体化学气相沉积形成第一金属间介电层的同时，在所述晶圆背面通入流动的氦气来防止所述晶圆的温度过高造成熔铝现象； 对所述第一金属间介电层进行加热处理； 对所述第一金属间介电层进行氧化处理； 在所述第一金属间介电层上采用等离子体增强化学气相沉积形成第二金属间介电层； 其中，所述第一金属间介电层包括掺氟硅玻璃，所述第二金属间介电层包括掺氟硅玻璃。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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