鸿基创能科技(广州)有限公司邹渝泉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉鸿基创能科技(广州)有限公司申请的专利一种膜电极封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111477912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010485313.6，技术领域涉及：H01M8/0273；该发明授权一种膜电极封装结构及封装方法是由邹渝泉;吴力杰;唐军柯;叶思宇;杨云松;孙宁设计研发完成，并于2020-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种膜电极封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及燃料电池领域，具体涉及一种膜电极封装结构及封装方法。该种膜电极封装结构包括顶面气体扩散层和底面气体扩散层，两个气体扩散层之间夹有相互层叠的边框和催化剂涂布膜，催化剂涂布膜粘接固定在边框顶面，边框仅有一个，边框顶面供催化剂涂布膜粘接的部位凹陷，催化剂涂布膜粘接在凹陷处的底壁上，凹陷处的内侧壁封堵住催化剂涂布膜的周围。该封装结构可以降低生产成本，降低密封区域漏气风险。
本发明授权一种膜电极封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种膜电极封装结构，包括顶面气体扩散层和底面气体扩散层，两个气体扩散层之间夹有相互层叠的边框和催化剂涂布膜，催化剂涂布膜粘接固定在边框顶面，其特征是边框仅有一个，边框顶面供催化剂涂布膜粘接的部位凹陷，催化剂涂布膜粘接在凹陷处的底壁上，凹陷处的内侧壁封堵住催化剂涂布膜的周围；催化剂涂布膜通过第一粘接剂层粘接在凹陷处的底壁上，凹陷处底壁上的第一粘接剂层厚度3~20μm，顶面气体扩散层通过第二粘接剂层粘接在边框顶面的非凹陷处并覆盖催化剂涂布膜的顶面，凹陷处的内侧壁与第二粘接剂层两者的厚度值之和不小于第一粘接剂层与催化剂涂布膜两者的厚度值之和，从而使得顶面气体扩散层整体平整地粘接在边框上，底面气体扩散层粘接在边框底面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人鸿基创能科技(广州)有限公司，其通讯地址为：510760 广东省广州市黄埔区宏远路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号