三星电子株式会社崔允荣获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111740012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010219974.4，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件是由崔允荣;林晟洙;姜秉茂;具省模;朴世真;裵珍宇设计研发完成，并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了形成电容器的方法、形成半导体器件的方法、形成精细图案的方法和半导体器件，该半导体器件包括：晶体管，在包括第一区域和第二区域的半导体衬底上，并且具有栅极结构和杂质区域；第一层间绝缘膜，覆盖晶体管并且具有电连接到杂质区域的接触插塞；电容器，包括在第二区域中的第一层间绝缘膜上且电连接到接触插塞的下电极、覆盖下电极的表面的电介质膜、和在电介质膜上的上电极；以及支撑层，与下电极的上部侧表面接触以支撑下电极，并且延伸到第一区域，其中支撑层在第一区域和第二区域之间具有台阶。
本发明授权形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种形成电容器的方法，该方法包括： 在包括第一区域和第二区域的半导体衬底上形成模层和支撑材料层； 在所述第二区域中形成用于图案化所述模层和所述支撑材料层的掩模图案； 通过使用所述掩模图案，在所述第二区域中形成穿过所述模层和所述支撑材料层暴露所述半导体衬底的上表面的凹陷图案； 形成用于为所述掩模图案的表面和所述凹陷图案的内表面做衬里的保护膜； 去除所述保护膜的一部分，以暴露所述掩模图案的至少上表面； 通过干清洗方法去除所述掩模图案； 去除所述保护膜的剩余部分； 在所述凹陷图案中形成下电极； 去除所述模层； 在所述下电极的表面上形成电介质膜；以及 在所述电介质膜上形成上电极， 其中所述掩模图案的图案密度在所述第二区域中高于所述第一区域中所述掩模图案的图案密度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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