力晶积成电子制造股份有限公司陈菁华获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利非挥发性存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010146226.8，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权非挥发性存储器元件及其制造方法是由陈菁华;纪秉辰;游舜淙;林明源;赖汉昭;周志文;徐震球设计研发完成，并于2020-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本非挥发性存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法，其中该非挥发性存储器元件包括基底、堆叠结构、反熔丝栅极、栅介电层、第一掺杂区与第二掺杂区。堆叠结构形成于基底上，且包括一浮置栅极、一选择逻辑栅极、一逻辑栅介电层与一多晶硅层间介电质层，其中选择逻辑栅极设置于所述浮置栅极上，逻辑栅介电层设置于所述浮置栅极与所述基底之间，多晶硅层间介电质层设置于浮置栅极与选择逻辑栅极之间。反熔丝栅极同样设置于所述基底上，栅介电层则设置于反熔丝栅极与基底之间。第一掺杂区形成于浮置栅极的一侧的基底内。第二掺杂区形成于浮置栅极与反熔丝栅极之间的基底内，且一通道区形成在第二掺杂区与第一掺杂区之间。
本发明授权非挥发性存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种非挥发性存储器元件，所述非挥发性存储器元件为单次可编程只读存储器，其特征在于，包括： 基底； 耐高压的堆叠结构，形成于所述基底上，所述堆叠结构包括： 浮置栅极； 选择逻辑栅极，设置于所述浮置栅极上； 逻辑栅介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间；以及 多晶硅层间介电质层，设置于所述浮置栅极与所述选择逻辑栅极之间； 反熔丝栅极，设置于所述基底上； 栅介电层，设置于所述反熔丝栅极与所述基底之间； 第一掺杂区，形成于所述浮置栅极的一侧的所述基底内；以及 第二掺杂区，形成于所述浮置栅极与所述反熔丝栅极之间的所述基底内，且一通道区形成在所述第二掺杂区与所述第一掺杂区之间。
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