微芯片技术股份有限公司V·恩古延获国家专利权
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龙图腾网获悉微芯片技术股份有限公司申请的专利具有双字线控制的ReRAM存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113678202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980095051.8，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权具有双字线控制的ReRAM存储器单元是由V·恩古延;F·扎维;J·L·麦科勒姆;薛丰良设计研发完成，并于2019-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有双字线控制的ReRAM存储器单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ReRAM存储器单元，该ReRAM存储器单元包括ReRAM装置，该ReRAM装置包括设置在第一离子源电极和第二电极之间的固体电解质层；和选择电路，该选择电路包括与ReRAM装置串联连接的两个串联连接的选择晶体管，该两个串联连接的选择晶体管中的每个选择晶体管具有连接到单独控制线的栅极。
本发明授权具有双字线控制的ReRAM存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种ReRAM存储器单元，包括： ReRAM装置，所述ReRAM装置包括设置在第一离子源电极和第二电极之间的固体电解质层； 两个串联连接的选择晶体管，所述两个串联连接的选择晶体管与所述ReRAM装置串联连接，所述两个串联连接的选择晶体管中的每个选择晶体管具有连接到单独控制线的栅极， 其中，当所述ReRAM存储器单元未被选择用于编程时，所述两个串联连接的选择晶体管的栅极-漏极电压相等并且为所施加的编程电压的一半。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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