华为技术有限公司曾秋玲获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种检测电路及传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980098408.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种检测电路及传感器是由曾秋玲;刘燕翔;陈赞锋;夏禹设计研发完成，并于2019-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种检测电路及传感器在说明书摘要公布了：一种检测电路，用于检测应力对电特性的影响，该检测电路包括：PMOS管主导自振荡环101、NMOS管主导自振荡环102和频率读取模块103；PMOS管主导自振荡环101的信号路径中的PMOS管数量大于NMOS管数量；NMOS管主导自振荡环102的信号路径中的NMOS管数量大于PMOS管数量；频率读取模块103用于读取PMOS管主导自振荡环101或NMOS管主导自振荡环102输出的频率信号。该NMOS管主导自振荡环102输出的频率信号表征应力对NMOS管的电特性影响，PMOS管主导自振荡环101输出的频率信号表征应力对PMOS管的电特性影响。可以根据应力对NMOS管的影响以及PMOS管的影响改善电路的制造工艺，以减少应力对电路的电特性的影响。
本发明授权一种检测电路及传感器在权利要求书中公布了：1.一种检测电路，其特征在于，包括： PMOS管主导自振荡环、NMOS管主导自振荡环和频率读取模块； 所述PMOS管主导自振荡环的信号路径中的PMOS管数量大于NMOS管数量； 所述NMOS管主导自振荡环的信号路径中的NMOS管数量大于PMOS管数量； 所述频率读取模块用于读取所述PMOS管主导自振荡环或所述NMOS管主导自振荡环输出的频率信号，所述PMOS管主导自振荡环输出的频率信号表征应力对PMOS管的电特性影响，所述NMOS管主导自振荡环输出的频率信号表征应力对NMOS管的电特性影响。
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