台湾积体电路制造股份有限公司黄博祥获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利散热结构及制造散热结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110660759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910580121.0，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权散热结构及制造散热结构的方法是由黄博祥;刘钦洲;钱清河;张丰愿;李惠宇设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本散热结构及制造散热结构的方法在说明书摘要公布了：本揭露描述了可以在三维系统整合晶片结构的功能区域或非功能区域中形成的散热结构。在一些实施例中，散热结构将记忆体晶粒或晶片的平均操作温度维持为低于约90℃。例如，散热结构包括具有两或多个晶片层的堆叠，其中两或多个的晶片层的堆叠的一晶片层包括中心部分和边缘部分，中心部分包括一或多个晶片，边缘部分围绕中心部分。边缘部分包括热界面材料环及导热结构。热界面材料环包括具有第一导热率的第一材料。导热结构包括具有高于第一导热率的第二导热率的第二材料。此结构还包括设置在堆叠的顶部晶片层上方的热界面材料层，以及在热界面材料层上方的散热器。
本发明授权散热结构及制造散热结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种散热结构，其特征在于，包括： 多个晶片层的一堆叠，其中该多个晶片层的该堆叠的一晶片层包括： 一中心部分，包括一或多个晶片；以及 一边缘部分，围绕该中心部分并且包括： 一热界面材料环，包括具有一第一导热率的一第一材料；以及 一第一导热结构，包括具有高于该第一导热率的一第二导热率的一第二材料，其中该第一导热结构垂直延伸穿过该晶片层，并实体接触该热界面材料环，且其中该晶片层的该边缘部分进一步包括： 一虚拟区域，位于该晶片层的该边缘部分，其中该虚拟区域包括一介电材料，该介电材料设置在该热界面材料环上并与该热界面材料环实体接触，其中该介电材料具有一第三导热率低于该第一导热率；以及 一第二导热结构，横向延伸穿过该虚拟区域的该介电材料； 一热界面材料层，设置在该堆叠的一顶部晶片层上；以及 一散热器，位于该热界面材料层上方，其中该第一导热结构、该第二导热结构和该热界面材料环配置以将该堆叠中产生的热量经由该晶片层的该边缘部分朝向该散热器引导。
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