度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司王瓒获国家专利权
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龙图腾网获悉度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司申请的专利芯片检测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120445596B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510961800.8，技术领域涉及：G01M11/02；该发明授权芯片检测方法及装置是由王瓒;王聪;余杨杰;刘育衔;杨国文设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片检测方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种芯片检测方法及装置，涉及激光器的技术领域，本发明提供的芯片检测方法包括步骤：步骤S10.获取待检测芯片发出的横电模光的近场分布图像和横磁模光的近场分布图像；步骤S20.根据横电模光的近场分布图像和横磁模光的近场分布图像计算待检测芯片的偏振比K的值，其中，偏振比K为横电模光或者横磁模光的偏振比；步骤S30.将计算得到的偏振比K的值与标准范围进行比较；当偏振比K的值在标准范围内时，确定待检测芯片的应力合格；当偏振比K的值不在标准范围内时，确定待检测芯片的应力不合格;步骤S40.对于应力不合格的待检测芯片，根据其横磁模光的近场分布图像得出待检测芯片上导致应力不合格的缺陷位置。
本发明授权芯片检测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种芯片检测方法，其特征在于，包括步骤： 步骤S10.获取待检测芯片（2）发出的横电模光的近场分布图像和横磁模光的近场分布图像； 步骤S20.根据横电模光的近场分布图像和横磁模光的近场分布图像计算待检测芯片（2）的偏振比K的值，其中，所述偏振比K为横电模光或者横磁模光的偏振比； 步骤S30.将计算得到的偏振比K的值与标准范围进行比较； 当偏振比K的值在标准范围内时，确定待检测芯片（2）的应力合格； 当偏振比K的值不在标准范围内时，确定待检测芯片（2）的应力不合格; 步骤S40.对于应力不合格的待检测芯片（2），根据其横磁模光的近场分布图像得出待检测芯片（2）上导致应力不合格的缺陷位置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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