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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种双极性晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510865082.4，技术领域涉及：H10D10/40；该发明授权一种双极性晶体管及其制造方法是由张日林;刘文虎;张拥华设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双极性晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种双极性晶体管及其制造方法，其中，双极性晶体管包括发射区、基区、集电区、第一目标沟槽、第二目标沟槽、发射极、基极和集电极，其中，发射区、基区和集电区依次呈纵向排列，基区位于集电区之上，发射区位于基区之上，第一目标沟槽的侧壁设置有氧化物并在沟槽内沉积多晶硅，第一目标沟槽的底部多晶硅与基区接触，第二目标沟槽设置在第一目标沟槽的一侧，第二目标沟槽的侧壁设置有氧化物并在沟槽内沉积多晶硅，第二目标沟槽的底部多晶硅与集电区接触，基极设置在第一目标沟槽表面的多晶硅上，集电极设置在第二目标沟槽表面的多晶硅上，发射极设置在第一目标沟槽的另一侧的发射区的表面上。

本发明授权一种双极性晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双极性晶体管，其特征在于，所述双极性晶体管包括发射区、基区、集电区、第一目标沟槽、第二目标沟槽、发射极、基极和集电极， 其中，所述发射区、基区和集电区依次呈纵向排列，所述基区位于所述集电区之上，所述发射区位于所述基区之上，所述第一目标沟槽的侧壁设置有氧化物并在沟槽内沉积多晶硅，所述第一目标沟槽的底部多晶硅与所述基区接触，所述第二目标沟槽设置在所述第一目标沟槽的一侧，所述第二目标沟槽的侧壁设置有氧化物并在沟槽内沉积多晶硅，所述第二目标沟槽的底部多晶硅与所述集电区接触， 所述基极设置在所述第一目标沟槽表面的多晶硅上，所述集电极设置在所述第二目标沟槽表面的多晶硅上，所述发射极设置在所述第一目标沟槽的另一侧的所述发射区的表面上； 所述双极性晶体管还包括栅极和第三目标沟槽，所述栅极用于通过连接不同的外部电压来改变所述双极性晶体管的电流放大系数， 其中，所述第三目标沟槽设置在所述第一目标沟槽的另一侧，所述第三目标沟槽的侧壁和底部均设置有氧化物并在沟槽内沉积多晶硅， 所述栅极设置在所述第三目标沟槽表面的多晶硅上，所述发射极设置在所述栅极和所述基极之间。

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