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龙图腾网获悉深圳辰达半导体有限公司申请的专利一种高热导性和宽工作温度范围的SiC MOS管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510850272.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种高热导性和宽工作温度范围的SiC MOS管的制备方法是由马奕俊;马奕勉设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高热导性和宽工作温度范围的SiC MOS管的制备方法在说明书摘要公布了：一种高热导性和宽工作温度范围的SiCMOS管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域；包括以下步骤：将碳化硅晶片通过RCA标准清洗法进行清洗并干燥；然后通过低压化学气相沉积法在＜600℃条件下于清洗并干燥后的碳化硅表面沉积非晶硅膜，得到预处理碳化硅晶片；在700‑800℃干氧环境下对预处理的碳化硅晶片上的非晶硅膜进行氧化，然后在1100‑1200℃氮气氛围下进行一次退火，然后在表面旋涂硼扩散层，在900‑1150℃条件下进行二次退火处理10min；通过机械剥离法将单层六方氮化硼通过亚克力有机玻璃转移至二次退火后的晶片表面，然后进行三次退火处理后进行电极成型处理；通过低温氧化的方式避免了出现碳残留的情况，然后通过氮气和硼元素协同钝化的方式提升沟道迁移率。

本发明授权一种高热导性和宽工作温度范围的SiC MOS管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高热导性和宽工作温度范围的SiCMOS管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将碳化硅晶片通过RCA标准清洗法进行清洗并干燥；然后通过低压化学气相沉积法在＜600℃条件下于清洗并干燥后的碳化硅表面沉积非晶硅膜，得到预处理碳化硅晶片； 在700-800℃干氧环境下对预处理的碳化硅晶片上的非晶硅膜进行氧化，然后在1100-1200℃氮气氛围下进行一次退火，然后在表面旋涂硼扩散层，在900-1150℃条件下进行二次退火处理10min； 通过机械剥离法将单层六方氮化硼通过亚克力有机玻璃转移至二次退火后的晶片表面，然后进行三次退火处理后进行电极成型处理； 还包括界面键合处理步骤： 将晶片置于等离子体腔室，然后通入氩气和氧气的混合气体，施加射频功率激发等离子体，对六方氮化硼表面进行定向轰击，然后进行三次退火处理； 其中，所述硼扩散层为硼硅玻璃，所述硼扩散层的厚度为100nm，所述硼扩散层中硼原子的占比为5-20at%； 所述二次退火处理在惰性气体氛围1000-1100℃条件下进行退火处理10min。

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