江苏芯德半导体科技股份有限公司张灏杰获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120376423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510845712.1，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构是由张灏杰;周进普;章志明;刘颖设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构，采用蚀刻和冲压相结合的工艺制作QFN引线框架，通过冲压方式对内引脚和基岛进行冲压，使其低于外引脚，呈台阶状，为新型的QFN封装结构提供了一种支撑框架；不仅提高了生产效率，还降低了生产成本，为大规模生产提供了可能性。QFN封装结构采用上下双层引脚结构的引线框架，打破了传统封装焊接点位仅在同一平面的限制，有效增加了芯片内部布线空间与焊点分布空间，提高了封装结构的集成度。本发明中引线框架的结构设计，增加了芯片的散热面积，尤其是通过设置上下两层引脚结构，形成了多层次的散热网络，大幅提高了散热效率，有效满足了大尺寸芯片封装结构的散热需求。
本发明授权QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构在权利要求书中公布了：1.QFN引线框架的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、提供高强度金属基材，采用化学蚀刻工艺在金属基材正面形成基岛和多圈引脚，多圈引脚围设在基岛周侧，多圈引脚包括一圈内引脚和至少一圈外引脚，内引脚离基岛最近； S2、对金属基材进行冲压，形成独立的QFN引线框架；在冲压工艺中，自QFN引线框架正面向背面方向将基岛和内引脚区域向下冲压，使得QFN引线框架具有阶梯结构； 其中，基岛和内引脚表面在同一平面，基岛、内引脚表面与外引脚表面不在同一平面，且外引脚表面高于基岛和内引脚表面； 所述基岛用于贴装半导体芯片，半导体芯片与内引脚、外引脚通过引线电性连接后；对半导体芯片和引线进行塑封形成塑封部，形成具有阶梯结构的QFN封装结构； 所述内引脚和外引脚形成上下两层引脚结构，增加了半导体芯片内部布线空间与焊点分布空间，也形成了多层次的散热网络。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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