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江苏芯德半导体科技股份有限公司赵玥获国家专利权

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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种晶圆级电感封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120341190B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510840130.4,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权一种晶圆级电感封装结构及其制备方法是由赵玥;徐倩倩;谢雨龙;张中设计研发完成,并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

一种晶圆级电感封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种晶圆级电感封装结构及其制备方法,封装结构包括中介层、电磁凸块、塑封体、塑封部和第三功能芯片,塑封体设有两个,塑封体旋转90度后垂直设于中介层正面,且对称设置在电磁凸块的两侧,使第一左侧壁金属层和第二左侧壁金属层朝向中介层正面,塑封体中的第一左侧壁金属层和第二左侧壁金属层通过中介层实现与电磁凸块的电气连接;塑封部包覆两个塑封体和电磁凸块,第三功能芯片集成在第一右侧壁金属层和第二右侧壁金属层表面。本发明提供的晶圆级电感封装结构,实现了在有限的空间内高密度集成6颗芯片,显著减小了封装尺寸,且制备方法简单。

本发明授权一种晶圆级电感封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆级电感封装结构,其特征在于,包括: 中介层,具有正面和背面,用于支撑和电气连接; 电磁凸块,设于中介层正面; 塑封体,具有衬底晶圆、设于衬底晶圆正面的第一功能芯片及设于衬底晶圆背面的第二功能芯片,所述衬底晶圆内设有多个硅通孔,所述第一功能芯片和第二功能芯片通过硅通孔连接,所述第一功能芯片具有对外电气连接的第一左侧壁金属层和第一右侧壁金属层,第二功能芯片具有对外电气连接的第二左侧壁金属层和第二右侧壁金属层;所述塑封体设有两个,塑封体旋转90度后垂直设于中介层正面,且对称设置在电磁凸块的两侧,使第一左侧壁金属层和第二左侧壁金属层朝向中介层正面,塑封体中的第一左侧壁金属层和第二左侧壁金属层通过中介层实现与电磁凸块的电气连接; 塑封部,形成于中介层正面,包覆两个塑封体和电磁凸块,两个塑封体的第一右侧壁金属层和第二右侧壁金属层表面裸露;在第一右侧壁金属层和第二右侧壁金属层表面形成第二再布线金属层; 第三功能芯片,集成在两个塑封体的第一右侧壁金属层和第二右侧壁金属层表面,通过第二再布线金属层与第一右侧壁金属层和第二右侧壁金属层电气连接,形成晶圆级电感封装结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人江苏芯德半导体科技股份有限公司,其通讯地址为:210000 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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