湘潭大学王金斌获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种带有保护环结构的核辐射探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120334991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510820508.4，技术领域涉及：G01T1/24；该发明授权一种带有保护环结构的核辐射探测器及其制备方法是由王金斌;王许琛;戴伟;钟向丽;宋宏甲;伏钊设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有保护环结构的核辐射探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带有保护环结构的核辐射探测器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括探测器主体，所述探测器主体顶面设有阳极，所述探测器主体底面设有阴极；其中，所述阳极包括阳面平面电极以及设置在所述阳面平面电极周围的保护环电极，所述阳面平面电极和所述保护环电极之间设有氧化层；所述阴极为阴面平面电极，所述阴面平面电极和所述阳面平面电极对称设置。本发明所开发的保护环电极结构利用其与阳极中心电极间产生的横向电场，将电子从边缘位置推送至中心电极，从而改善整体载流子特性，并在宏观尺度表现出器件表面漏电流减小与能量分辨率提高。
本发明授权一种带有保护环结构的核辐射探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带有保护环结构的核辐射探测器，其特征在于，包括探测器主体，所述探测器主体顶面设有阳极，所述探测器主体底面设有阴极； 其中，所述阳极包括阳面平面电极以及设置在所述阳面平面电极周围的保护环电极，所述阳面平面电极和所述保护环电极之间设有氧化层； 所述阴极为阴面平面电极和设置在所述阴面平面电极周围的氧化层，所述阴面平面电极和所述阳面平面电极对称设置； 所述氧化层的电阻率大于1012Ω·cm； 所述探测器主体为长方体，所述顶面和所述底面为正方形；所述阳面平面电极为正方形，且边长不小于所述底面正方形边长的12。
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