天水天光半导体有限责任公司庄立强获国家专利权
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龙图腾网获悉天水天光半导体有限责任公司申请的专利ER193型双差分比较器电路的制造方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358791B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510822101.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权ER193型双差分比较器电路的制造方法及装置是由庄立强;王永功;王轶军;陈鑫;张翔;赵海红;任杰;刘云洁;马美玲;朱敏设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本ER193型双差分比较器电路的制造方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种ER193型双差分比较器电路的制造方法及装置，属于半导体制造技术领域，本发明实施例的ER193型双差分比较器电路的制造方法，通过调整晶圆的隔离光刻位置，确保在上隔离光刻过程中以校正外延层漂移，即使外延层发生漂移，光刻图案依然能够精确地在晶圆上形成，避免因对位误差导致电路功能不良或不一致的电气性能。
本发明授权ER193型双差分比较器电路的制造方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种ER193型双差分比较器电路的制造方法，其特征在于，包括： 在晶圆进行下隔离处理后，确定对晶圆进行表面氧化层去除； 确定所述晶圆形成外延层并对所述晶圆进行上隔离氧化； 在进行上隔离光刻时，确定调整晶圆的隔离光刻位置以校正外延层漂移，包括：在进行上隔离光刻的光刻机的对位参数为可调状态的情况下，基于所述晶圆上外延层的漂移方向和大小，调整光刻机的对位参数，光刻机的对位系统相应地调整对位标志的位置，使得光刻图案与晶圆上的现有结构重新对准，在进行上隔离光刻的光刻机的对位参数为不可调状态的情况下，基于所述晶圆上外延层的漂移方向和大小，确定用于上隔离光刻的版图中刻蚀隔离区的刻蚀标记朝目标偏移方向偏离目标偏移量，使得在刻蚀过程中，刻蚀标记能够与外延层的实际位置对准，确保最终刻蚀出的隔离区位置正确； 确定对校正外延层漂移后的晶圆进行预扩散和再扩散，以在所述晶圆上得到目标电路。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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