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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体结构和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510790191.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体结构和半导体器件是由李翠;金锐;田宝华;和峰;聂瑞芬;李哲洋;崔翔;徐琮玮设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一掺杂区，位于外延层中，第一掺杂区的表面为外延层的远离衬底的部分表面；栅极结构，位于外延层中，且在预定方向上位于第一掺杂区的一侧，栅极结构的远离衬底的表面为外延层的远离衬底的部分表面，预定方向为垂直于衬底厚度的方向；第一介质层，位于外延层中，且位于栅极结构的靠近衬底的表面上，在预定方向上，栅极结构的长度大于第一介质层的长度，第一介质层与栅极结构组成阶梯结构。本申请改善了现有技术中槽栅MOSFET元胞变小后导通电阻增大的程度。

本发明授权半导体结构和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的表面上； 第一掺杂区，位于所述外延层中，所述第一掺杂区的表面为所述外延层的远离所述衬底的部分表面； 栅极结构，位于所述外延层中，且在预定方向上位于所述第一掺杂区的一侧，所述栅极结构的远离所述衬底的表面为所述外延层的远离所述衬底的部分表面，所述预定方向为垂直于所述衬底厚度的方向； 第一介质层，位于所述外延层中，且位于所述栅极结构的靠近所述衬底的表面上，在所述预定方向上，所述栅极结构的长度大于所述第一介质层的长度，所述第一介质层与所述栅极结构组成阶梯结构； 第二掺杂区，位于所述第一掺杂区中，所述第二掺杂区的掺杂类型与所述第一掺杂区的掺杂类型相同，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度； 第三掺杂区，位于所述栅极结构的靠近所述第二掺杂区的侧壁上、所述第一介质层的靠近所述第二掺杂区的侧壁上、所述第一介质层的靠近所述衬底的部分表面上以及所述第二掺杂区的靠近所述栅极结构的侧壁上，所述第三掺杂区的掺杂类型与所述第一掺杂区的掺杂类型相同，所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度。

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