中国人民解放军国防科技大学牛俊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于掩星数据的低电离层电子密度反演方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120316384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510788999.9，技术领域涉及：G06F17/10；该发明授权基于掩星数据的低电离层电子密度反演方法是由牛俊;李绍文;翁利斌;孟兴;汪四成;盛峥;梅冰设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于掩星数据的低电离层电子密度反演方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种基于掩星数据的低电离层电子密度反演方法。所述方法包括：获取由多颗低轨卫星组成的掩星项目提供的二级数据文件后进行TEC数据预处理，基于预处理后的数据在一定高度区间范围内根据两段式线性拟合提取TEC廓线中的电离层F层分量，得到插值后的电离层F层TEC分量；根据插值后的掩星观测值和电离层F层TEC分量计算低电离层TEC分量；根据低电离层TEC分量的高度分布构建基于Abel权重函数的电子密度反演线性方程组并采用非负最小二乘进行求解，得到反演的电子密度廓线；利用高斯函数对反演的电子密度廓线进行平滑拟合得到电子密度廓线产品。采用本方法能够提高低电离层电子密度反演精度。
本发明授权基于掩星数据的低电离层电子密度反演方法在权利要求书中公布了：1.一种基于掩星数据的低电离层电子密度反演方法，其特征在于，所述方法包括： 获取由多颗低轨卫星组成的掩星项目提供的二级数据文件；对所述二级数据文件进行TEC数据预处理，得到预处理后的数据； 基于所述预处理后的数据在一定高度区间范围内根据两段式线性拟合提取TEC廓线中的电离层F层分量，得到插值后的电离层F层TEC分量；根据插值后的掩星观测值和所述插值后的电离层F层TEC分量计算低电离层TEC分量； 建立离散化后的低电离层TEC分量与待求的电子密度的线性方程组并采用非负最小二乘进行求解，得到反演的电子密度廓线； 利用高斯函数对所述反演的电子密度廓线进行平滑拟合得到电子密度廓线产品。
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