深圳大学聂东获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120288759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510772453.4，技术领域涉及：C01B32/188；该发明授权在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯是由聂东;王定官;范津维;何家源;林浩;陈建业;胡静怡;许凯东设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯在说明书摘要公布了：本发明提供了一种在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯，所述方法包括如下步骤：步骤S1，在干净的Au111基底上制备少层FeO材料，得到少层FeO基底；步骤S2，在所述少层FeO基底上沉积前体分子，所述前体分子为1,3,5‑三4‑碘苯基苯；步骤S3，加热前体分子，使其发生乌尔曼偶联反应，沿着基底表面外延生长沉积，得到单层二维多孔石墨烯；步骤S4，退火处理，去掉FeIX。采用本发明的技术方案得到单层多孔石墨烯，构建了半导体有机物的异质结构，方法简单，有望被应用于气体传感、生物分子检测、光电探测器等传感芯片。
本发明授权在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯在权利要求书中公布了：1.一种在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，在干净的Au111基底上制备少层FeO材料，得到少层FeO基底；所述少层FeO材料采用以Fe在一氧化碳气体氛围中热氧化，在Au111表面合成FeO； 步骤S2，在所述少层FeO基底上沉积前体分子，所述前体分子为1,3,5-三4-碘苯基苯； 步骤S3，加热前体分子，使其发生乌尔曼偶联反应，沿着基底表面外延生长沉积，得到单层二维多孔石墨烯； 步骤S4，退火处理，去掉FeIX； 步骤S2中，还包括原位真空退火处理，退火温度为100-150℃，退火时间为5~10mins； 步骤S3中，沉积后还包括退火处理，所述退火处理时基底温度为180-320℃，持续时间为5~120mins。
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